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IXFT88N30P
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IXFT88N30P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 44A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
Power Dissipation (Max) | 600W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFT8" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFT8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFT80N08 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2780 |
IXFT80N085 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2767 |
IXFT80N10Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2736 |
IXFT80N15Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2776 |
IXFT80N20Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2764 |
IXFT80N30P3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2582 |
IXFT80N65X2HV | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2681 |
IXFT86N30T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2641 |
IXFT86N30T | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFT88N28P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2507 |
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