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IXFT86N30T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 86A TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 860W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFT80N08 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2780
IXFT80N085 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2767
IXFT80N10Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
IXFT80N15Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2776
IXFT80N20Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2764
IXFT80N30P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2582
IXFT80N65X2HV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2681
IXFT86N30T IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFT88N28P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2507
IXFT88N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2537

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