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IXFT32N50Q
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IXFT32N50Q Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-268 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 16A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4925pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IXFT3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFT30N40Q | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 3789 |
IXFT30N50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2796 |
IXFT30N50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2707 |
IXFT30N50Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3432 |
IXFT30N50Q3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4222 |
IXFT30N60P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2777 |
IXFT30N60Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2606 |
IXFT30N60X | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 3432 |
IXFT30N85XHV | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2692 |
IXFT320N10T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2573 |
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