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IXFT30N50P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 460W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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IXFT30N50P Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFT30N50P

Otros incluyen   "IXFT3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFT3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFT30N40Q IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3789
IXFT30N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2796
IXFT30N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3432
IXFT30N50Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4222
IXFT30N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2777
IXFT30N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
IXFT30N60X IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3432
IXFT30N85XHV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2692
IXFT320N10T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2573
IXFT320N10T2 IXYS Transistores MOSFET individuales

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