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IXFT26N50Q TR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 26A TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 26A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268 (IXFT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IXFT26N50Q TR-ND IXFT26N50QTR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
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IXFT26N50Q TR Documentos

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Las siguientes partes incluyen  'IXFT2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFT20N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5555
IXFT20N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2537
IXFT20N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3555
IXFT20N80P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFT20N80Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
IXFT21N50 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4543
IXFT21N50F IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4322
IXFT21N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2691
IXFT220N20X3HV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2601
IXFT23N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5555

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