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IXFT20N60Q
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IXFT20N60Q Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
IXFT20N60Q Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFT20N60Q
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFT2" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFT2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFT20N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5555 |
IXFT20N80P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3555 |
IXFT20N80P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFT20N80Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2799 |
IXFT21N50 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 4543 |
IXFT21N50F | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 4322 |
IXFT21N50Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2691 |
IXFT220N20X3HV | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2601 |
IXFT23N60Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5555 |
IXFT23N80Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2702 |
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