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IXFT23N80Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
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IXFT23N80Q Documentos

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Otros incluyen   "IXFT2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFT2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFT20N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5555
IXFT20N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2537
IXFT20N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3555
IXFT20N80P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFT20N80Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
IXFT21N50 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4543
IXFT21N50F IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4322
IXFT21N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2691
IXFT220N20X3HV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2601
IXFT23N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5555

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