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IXFQ23N60Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFQ20N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2627
IXFQ21N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2603
IXFQ22N60P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2749
IXFQ24N50P2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2506
IXFQ24N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509
IXFQ24N60X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2699
IXFQ26N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2548
IXFQ26N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2543
IXFQ26N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2580
IXFQ26N60P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2752

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