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IXFQ20N50P3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar3™
Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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IXFQ20N50P3 Documentos

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Otros incluyen   "IXFQ2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFQ2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFQ21N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2603
IXFQ22N60P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2749
IXFQ23N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2644
IXFQ24N50P2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2506
IXFQ24N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509
IXFQ24N60X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2699
IXFQ26N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2548
IXFQ26N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2543
IXFQ26N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2580
IXFQ26N60P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2752

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