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IXFK80N65X2
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IXFK80N65X2 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 890W (Tc) |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-264 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 40A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8245pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IXFK8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFK80N10 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2796 |
IXFK80N10Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
IXFK80N15Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2935 |
IXFK80N20 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2986 |
IXFK80N20Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2826 |
IXFK80N20S | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2775 |
IXFK80N50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2994 |
IXFK80N50Q3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2717 |
IXFK80N60P3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2676 |
IXFK88N20Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2748 |
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