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IXFK80N50Q3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 80A TO-264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Otros incluyen   "IXFK8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFK8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFK80N10 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2796
IXFK80N10Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
IXFK80N15Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2935
IXFK80N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2986
IXFK80N20Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2826
IXFK80N20S IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2775
IXFK80N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2994
IXFK80N60P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676
IXFK80N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2603
IXFK88N20Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2748

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