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IXFK35N50 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 16.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 416W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 227nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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IXFK35N50 Documentos

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Otros incluyen   "IXFK3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFK3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFK300N20X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2748
IXFK30N100Q2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2862
IXFK30N110P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4543
IXFK30N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2806
IXFK320N17T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3789
IXFK320N17T2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFK32N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2747
IXFK32N100Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 752
IXFK32N50 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2736
IXFK32N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2836

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