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IXFK180N10 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 560W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 390nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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IXFK180N10 Documentos

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Otros incluyen   "IXFK1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFK1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFK100N10 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2856
IXFK100N10 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFK100N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2763
IXFK100N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2628
IXFK100N65X2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFK102N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2847
IXFK102N30P IC IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 499
IXFK105N07 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2902
IXFK10N100 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2966
IXFK110N06 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2822

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