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IXFK100N65X2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 100A TO-264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-264
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFK100N10 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2856
IXFK100N10 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFK100N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2763
IXFK100N65X2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFK102N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2847
IXFK102N30P IC IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 499
IXFK105N07 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2902
IXFK10N100 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2966
IXFK110N06 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2822
IXFK110N07 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2813

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