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IXFH36N55Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 550V 36A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
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IXFH36N55Q Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFH36N55Q

Otros incluyen   "IXFH3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFH3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH30N40Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2874
IXFH30N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2883
IXFH30N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1057
IXFH30N50P MOSFETIGBTIC IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 482
IXFH30N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12388
IXFH30N50Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2529
IXFH30N60 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 38
IXFH30N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6248
IXFH30N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5670
IXFH30N60X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682

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