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IXFH30N50
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IXFH30N50 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFH30N50
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Hojas de datos
IXFH30N50.pdf
Otros incluyen "IXFH3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFH3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFH30N40Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2874 |
IXFH30N50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1057 |
IXFH30N50P MOSFETIGBTIC | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 482 |
IXFH30N50Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12388 |
IXFH30N50Q3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2529 |
IXFH30N60 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 38 |
IXFH30N60P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6248 |
IXFH30N60Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5670 |
IXFH30N60X | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2682 |
IXFH30N85X | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2629 |
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