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IXFH24N50 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
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Otros incluyen   "IXFH2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFH2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH20N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5540
IXFH20N100P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFH20N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2523
IXFH20N60 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2963
IXFH20N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1254
IXFH20N80 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 95
IXFH20N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2279
IXFH20N80Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1435
IXFH20N80Q IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFH20N85X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 600

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