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IXFH20N85X Especificaciones técnicas

850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 850V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1660pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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IXFH20N85X Documentos

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Otros incluyen   "IXFH2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFH2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH20N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5540
IXFH20N100P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFH20N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2523
IXFH20N60 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2963
IXFH20N60Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1254
IXFH20N80 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 95
IXFH20N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2279
IXFH20N80Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1435
IXFH20N80Q IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFH21N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783

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