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IXFH22N60P
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IXFH22N60P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFH22N60P
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Hojas de datos
IXFH22N60P.pdf
Otros incluyen "IXFH2" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFH2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFH20N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5540 |
IXFH20N100P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFH20N50P3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2523 |
IXFH20N60 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2963 |
IXFH20N60Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1254 |
IXFH20N80 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 95 |
IXFH20N80P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2279 |
IXFH20N80Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1435 |
IXFH20N80Q | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFH20N85X | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 600 |
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