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IXFA12N65X2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-263AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 6A, 10V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1134pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA
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IXFA12N65X2 Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFA102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 674
IXFA10N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4099
IXFA10N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1238
IXFA110N15T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1383
IXFA12N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4099
IXFA130N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
IXFA130N10T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1887
IXFA130N10T2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFA130N15X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
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