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MURT10020R
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MURT10020R Especificaciones técnicas
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Supplier Device Package | Three Tower |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Package / Case | Three Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | - |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A (DC) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard, Reverse Polarity |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 50V |
MURT10020R Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MURT10020R
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Hojas de datos
1.MURT10020R.pdf 2.MURT10020R.pdf
Otros incluyen "MURT1" partes
Las siguientes partes incluyen 'MURT1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MURT10005 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2717 |
MURT10005R | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2762 |
MURT10010 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2770 |
MURT10010R | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2514 |
MURT10020 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2686 |
MURT10040 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2711 |
MURT10040R | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2523 |
MURT10060 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2652 |
MURT10060R | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Matrices | 2627 |
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