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MURT10005R Especificaciones técnicas

DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 50A
Supplier Device Package Three Tower
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Package / Case Three Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A (DC)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MURT10005 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2717
MURT10010 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2770
MURT10010R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2514
MURT10020 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2686
MURT10020R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2773
MURT10040 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2711
MURT10040R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2523
MURT10060 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2652
MURT10060R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2627

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