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MJD3055TF
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MJD3055TF Especificaciones técnicas
TRANS NPN 60V 10A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1.75W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Supplier Device Package | D-Pak |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 2MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MJD30" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD3055 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 36728 |
MJD3055 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD3055 MOS | CJ | CIs Calientes Especializados | 527 |
MJD3055G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1007 |
MJD3055G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD3055T4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 6079 |
MJD3055T4 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 6079 |
MJD3055T4 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD3055T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2214 |
MJD3055T4G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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