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MJD3055T4G Especificaciones técnicas
MJD3055T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 1.75W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 2MHz |
Base Part Number | MJD3055 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Gain Bandwidth Product | 2MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 10A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50μA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.1V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 70V |
hFE Min | 20 |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 60V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 10A |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 1.75W |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 60V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A 4V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Transition Frequency | 2MHz |
Max Breakdown Voltage | 60V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 2.38mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MJD3055T4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MJD3055T4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MJD30" partes
Las siguientes partes incluyen 'MJD30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJD3055 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 36728 |
MJD3055 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD3055 MOS | CJ | CIs Calientes Especializados | 527 |
MJD3055G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 1007 |
MJD3055G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD3055T4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 6079 |
MJD3055T4 | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 6079 |
MJD3055T4 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJD3055T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2214 |
MJD3055T4G MOS | LISION | CIs Calientes Especializados | 751 |
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