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KSB601Y Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 1.5W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5000 @ 3A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 3mA, 3A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSB601OTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2734
KSB601OTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSB601OTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSB601Y AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2662
KSB601Y ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSB601YTSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2665
KSB601YTSTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2754
KSB601YTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2743
KSB601YTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2597
KSB601YTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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