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KSB601OTU
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KSB601OTU Especificaciones técnicas
TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3000 @ 3A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 3mA, 3A |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
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Las siguientes partes incluyen 'KSB60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
KSB601OTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 0 |
KSB601OTU | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
KSB601Y | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2596 |
KSB601Y | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2662 |
KSB601Y | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
KSB601YTSTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2665 |
KSB601YTSTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2754 |
KSB601YTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2743 |
KSB601YTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2597 |
KSB601YTU | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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