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IRLW630ATM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Otros incluyen   "IRLW6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLW6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLW610A FAIRCHI CIs Calientes Especializados 5453
IRLW610ATM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRLW610ATM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRLW620ATM FAIRCHI CIs Calientes Especializados 9600
IRLW620ATM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6621
IRLW630A VB CIs Calientes Especializados 25000
IRLW630ATM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25302
IRLW630ATM F630NS TO-263 CIs Calientes Especializados 2555
IRLW630ATRRPBF Original CIs Calientes Especializados 4000
IRLW640 VB CIs Calientes Especializados 1000

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