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IRLW610ATM
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IRLW610ATM Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | I2PAK |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
IRLW610ATM Documentos
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Hojas de datos
IRLW610ATM.pdf
Otros incluyen "IRLW6" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRLW6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRLW610A | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 5453 |
IRLW610ATM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
IRLW620ATM | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 9600 |
IRLW620ATM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6621 |
IRLW630A | VB | CIs Calientes Especializados | 25000 |
IRLW630ATM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2813 |
IRLW630ATM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25302 |
IRLW630ATM F630NS | TO-263 | CIs Calientes Especializados | 2555 |
IRLW630ATRRPBF | Original | CIs Calientes Especializados | 4000 |
IRLW640 | VB | CIs Calientes Especializados | 1000 |
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