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FQP7N80 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'FQP7N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP7N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39642
FQP7N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39642
FQP7N10 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5483
FQP7N10L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 64773
FQP7N10L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 64773
FQP7N20 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 774
FQP7N20 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6568
FQP7N20 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQP7N20L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33552
FQP7N20L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33552

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