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FQB9N50TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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Otros incluyen   "FQB9N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB9N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB9N08 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 8548
FQB9N08L VB CIs Calientes Especializados 5000
FQB9N08LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1218
FQB9N08LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1866
FQB9N08LTM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1243
FQB9N08TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2756
FQB9N08TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695
FQB9N15 VISH CIs Calientes Especializados 8365
FQB9N15TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2545
FQB9N15TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2589

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