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FQB9N08TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 4.65A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Tc)
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQB9N08TM

Otros incluyen   "FQB9N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB9N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB9N08 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 8548
FQB9N08L VB CIs Calientes Especializados 5000
FQB9N08LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1218
FQB9N08LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1866
FQB9N08LTM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1243
FQB9N08TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695
FQB9N15 VISH CIs Calientes Especializados 8365
FQB9N15TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2545
FQB9N15TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2589
FQB9N25 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 5698

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