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FQAF6N80
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FQAF6N80 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3PF |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 Ohm @ 2.2A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
Package / Case | SC-94 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
FQAF6N80 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQAF6N80
-
Hojas de datos
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Otros incluyen "FQAF6" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQAF6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQAF65N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2738 |
FQAF65N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2649 |
FQAF65N06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 688 |
FQAF6N70 | FSC/ON | CIs Calientes Especializados | 8000 |
FQAF6N80 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2658 |
FQAF6N80 | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
FQAF6N90 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8000 |
FQAF6N90 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8000 |
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