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FQAF6N80 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case SC-94
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3PF
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 4.4A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-3PF
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Otros incluyen   "FQAF6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQAF6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQAF65N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2738
FQAF65N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2649
FQAF65N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 688
FQAF6N70 FSC/ON CIs Calientes Especializados 8000
FQAF6N80 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2638
FQAF6N80 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FQAF6N90 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8000
FQAF6N90 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8000

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