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FQA17P10
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FQA17P10 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3P |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQA17P10
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FQA17" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQA17'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQA170N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8877 |
FQA170N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 311 |
FQA170N06 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQA17N40 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2558 |
FQA17N40 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2596 |
FQA17P10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2686 |
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