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FQA170N06 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 85A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQA170N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8877
FQA170N06 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQA17N40 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558
FQA17N40 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2596
FQA17P10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2515
FQA17P10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2686

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