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FJN3313RBU
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FJN3313RBU Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Bulk |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Las siguientes partes incluyen 'FJN33'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FJN3301 | FAIRCH | CIs Calientes Especializados | 2692 |
FJN3301RBU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2738 |
FJN3301RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2530 |
FJN3301RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 0 |
FJN3301RTA | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2647 |
FJN3301RTA | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
FJN3302RBU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2629 |
FJN3302RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2565 |
FJN3302RBU | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
FJN3302RTA | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2184 |
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