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FGL60N100BNTDTU
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FGL60N100BNTDTU Especificaciones técnicas
IGBT 1000V 60A 180W TO264
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000V |
Test Condition | 600V, 60A, 51 Ohm, 15V |
Switching Energy | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.2µs |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 275nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
Td (on/off) @ 25°C | 140ns/630ns |
Supplier Device Package | TO-264 |
Power - Max | 180W |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | NPT and Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FGL60N100BNTD | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 4358 |
FGL60N100BNTD | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 1390 |
FGL60N100BNTD | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
FGL60N100BNTD G60N100BNTD | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 449 |
FGL60N100BNTDTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2803 |
FGL60N100BNTDTU | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
FGL60N100D | FSC | CIs Calientes Especializados | 2883 |
FGL60N100DTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2540 |
FGL60N100DTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2682 |
FGL60N100DTU | ON Semiconductor | IGBTs individuales |
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