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FGL60N100BNTD Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 60A 180W TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition 600V, 60A, 51 Ohm, 15V
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 1.2µs
Packaging Tube
Other Names FGL60N100BNTD-ND FGL60N100BNTDFS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT and Trench
Detailed Description IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Td (on/off) @ 25°C 140ns/630ns
Supplier Device Package TO-264
Power - Max 180W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 275nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGL60N100BNTD Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1390
FGL60N100BNTD ON Semiconductor IGBTs individuales
FGL60N100BNTD G60N100BNTD AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 449
FGL60N100BNTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5405
FGL60N100BNTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2803
FGL60N100BNTDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGL60N100D FSC CIs Calientes Especializados 2883
FGL60N100DTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2540
FGL60N100DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2682
FGL60N100DTU ON Semiconductor IGBTs individuales

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