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FDG316P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 1.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
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Otros incluyen   "FDG31"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDG31' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDG311N Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30184
FDG311N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 64103
FDG311N ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDG311N MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4363
FDG311N-NL FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 3377
FDG311N-NL NSL12AWT1G Son CIs Calientes Especializados 2608
FDG311N_NL FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 549
FDG312P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 328489
FDG312P Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5316
FDG312P ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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