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FDB0260N1007L
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FDB0260N1007L Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D2PAK (7-Lead) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 27A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8545pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB020N08BL7 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 3500 |
FDB024N04A | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20 |
FDB024N04AL7 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34294 |
FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1570 |
FDB024N04AL7 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB024N04AL7 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 518 |
FDB024N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30492 |
FDB024N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30492 |
FDB024N06 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB024N06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 266 |
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