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VS-GB90DA60U Especificaciones técnicas

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package SOT-227
Package / Case SOT-227-4
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Manufacturer Standard Lead Time 29 Weeks
Input Standard
Detailed Description IGBT Module NPT Single 600V 147A 625W Chassis Mount SOT-227
Current - Collector (Ic) (Max) 147A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 100A
Power - Max 625W
Other Names VS-GB90DA60UGI
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
Configuration Single
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VS-GB90DA60U Documentos

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Otros incluyen   "VS-GB"   partes

Las siguientes partes incluyen  'VS-GB' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GB05XP120KTPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2534
VS-GB05XP120KTPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2677
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100DA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 0
VS-GB100DA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2778
VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100LH120N Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2689
VS-GB100LH120N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2631
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100LP120N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2567

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