VS-GB150TH120N Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Double INT-A-PAK
Package / Case Double INT-A-PAK (3 + 4)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Manufacturer Standard Lead Time 38 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 150A
Power - Max 1008W
Other Names VSGB150TH120N
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Half Bridge 1200V 300A 1008W Chassis Mount Double INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max) 300A
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VS-GB05XP120KTPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2534
VS-GB05XP120KTPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2677
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100DA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 0
VS-GB100DA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2778
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