VS-GA300TD60S Especificaciones técnicas

IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package Dual INT-A-PAK
Package / Case Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Manufacturer Standard Lead Time 38 Weeks
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Half Bridge 600V 530A 1136W Chassis Mount Dual INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max) 530A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 300A
Power - Max 1136W
Other Names VSGA300TD60S
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 750µA
Configuration Half Bridge
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VS-GA100NA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2586
VS-GA100NA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2504
VS-GA100NA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
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