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VS-GA200HS60S1 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 480A 830W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package INT-A-PAK
Package / Case INT-A-Pak
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Cies) @ Vce 32.5nF @ 30V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Half Bridge
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.21V @ 15V, 200A
Power - Max 830W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Half Bridge 600V 480A 830W Chassis Mount INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max) 480A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GA100NA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2586
VS-GA100NA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2504
VS-GA100NA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GA100TS120UPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2795
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