SIHG22N50D-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Other Names SIHG22N50DGE3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1938pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 22A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247AC
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 312W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHG20N50C VISHYA CIs Calientes Especializados 3285
SIHG20N50C-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3036
SIHG20N50C-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 111891
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG20N50C-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 4403
SIHG20N50E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2784
SIHG20N50E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2613
SIHG20N50E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG20N50G IR CIs Calientes Especializados 17
SIHG21N60EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2600

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