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SIDR402DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8DC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.88 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIDR402DP-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64.6A (Ta), 100A (Tc)
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