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IRFBC20STRR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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IRFBC20STRR Documentos

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Otros incluyen   "IRFBC"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFBC' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFBC20 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1336
IRFBC20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23413
IRFBC20 MOS IR CIs Calientes Especializados 565
IRFBC20-030 IR CIs Calientes Especializados 2632
IRFBC20F /IR CIs Calientes Especializados 2774
IRFBC20L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
IRFBC20L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2786
IRFBC20LPBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
IRFBC20LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
IRFBC20PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5304

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