SI3853DV-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 500mV @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 830mW (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3853DV-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 1.6A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI3850ADV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 609
SI3850ADV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 20776
SI3850ADV-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI3850ADV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 8498
SI3850ADV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 8327
SI3850ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI3850DV-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2908
SI3850DV-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 1753
SI3850DV-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 8316
SI3851DV VISHAY CIs Calientes Especializados 12137

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