SI3850ADV-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.08W
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel, Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A, 960mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 500mA, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI3850ADV-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP
Base Part Number SI3850
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI3850ADV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 609
SI3850ADV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 20776
SI3850ADV-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI3850ADV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 8327
SI3850ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI3850DV-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2908
SI3850DV-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 1753
SI3850DV-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 8316
SI3851DV VISHAY CIs Calientes Especializados 12137
SI3851DV-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 9139

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