SI1902CDL-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 420mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.1A 420mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI1902CDL-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 27 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI19002CSU SILICON CIs Calientes Especializados 2639
SI1900DL VISHAY CIs Calientes Especializados 676
SI1900DL-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2338
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